高頻Q表法介電常數(shù)介質損耗測試儀
產品概述
高頻Q表法介電常數(shù)介質損耗測試儀由916測試裝置(夾具)、GDAT型高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動測量控件(裝入GDAT)、及LKI-1型電感器組成,它依據(jù)國標GB/T 1409-2006、美標ASTM D150以及電工委員會IEC60250的規(guī)定設計制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動測量的解決方案。
高頻Q表法介電常數(shù)介質損耗測試儀主要技術指標:
2.1 tanδ和ε性能:
2.1.1 固體絕緣材料測試頻率10kHz~120MHz的tanδ和ε變化的測試。
2.1.2 tanδ和ε測量范圍:
tanδ:0.1~0.00005,ε:1~50
2.1.3 tanδ和ε測量精度(1MHz):
tanδ:±5%±0.00005,ε:±2%
工作頻率范圍:50kHz~50MHz 四位數(shù)顯,壓控振蕩器
Q值測量范圍:1~1000三位數(shù)顯,±1Q分辨率
可調電容范圍:40~500 pF ΔC±3pF
電容測量誤差:±1%±1pF
Q表殘余電感值:約20nH
電感測量
a.測量范圍:0.1μH~1H。
b.分 檔:分七個量程。
0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH,
0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。
振蕩頻率
a.振蕩頻率范圍:25kHz~50MHz;
b.頻率分檔:
25~74kHz, 74~213kHz, 213-700kHz, 700kHz~1.95MHz,
1.95MHz~5.2MHz, 5.2MHz~17MHz, 17~50MHz。
c.頻率誤差:2×10±1個字。
Q合格指示預置功能,預置范圍:5~999。
各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。
它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數(shù)值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至zui低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
1、液體介電常數(shù)測定儀
2、低頻介電常數(shù)測試儀
3、高頻介電常數(shù)測試儀
4、塑料介電常數(shù)測試儀
5、聚乙烯介電常數(shù)測定儀
6、硅橡膠介電常數(shù)測定儀
7、橡膠介電常數(shù)測定儀
8、材料介電常數(shù)測定儀
9、薄膜介電常數(shù)測定儀
10、聚酯薄膜介電常數(shù)測試儀
11、聚合物介電常數(shù)測量儀
12、介電常數(shù)及介質損耗測試儀
裝置:
2.3.1 平板電容器極片尺寸::Φ38mm和Φ50mm二種.
2.3.2 平板電容器間距可調范圍和分辨率:0~8mm, ±0.01mm
2.3.3 圓筒電容器線性: 0.33 pF /mm±0.05 pF,
2.3.4 圓筒電容器可調范圍:±12.5mm(±4.2pF)
2.3.5 裝置插頭間距:25mm±0.1mm
2.3.6 裝置損耗角正切值:≤2.5×10-4
- 上一個: BWN電子拉伸試驗機*
- 下一個: BEST-121體積電阻率測試儀(*)